历史一幕！#长江存储向三星授权关键技术专利#

【历史一幕！长江存储向三星授权关键技术专利 】“长江存储实现了对三星的技术专利许可，这对于一直在坚持自主研发的中国科技企业而言，无疑是又一次重大鼓舞。”行业媒体如此评价称。

2月24日，韩国媒体ZDNet Korea独家报道称，三星电子近日与中国存储芯片厂商长江存储签署了专利许可协议，将从后者获得3D NAND“混合键合”专利，该专利是一种将晶圆和晶圆直接键合的尖端封装技术。

三星电子作为存储芯片行业的领头羊，从中国企业获得专利授权比较罕见。这家韩媒直言，由于工艺流程问题，三星难以规避中国企业的专利，获取授权是必然，未来的竞争可能会非常激烈。

观察者网就该报道联系长江存储方面，对方暂未置评。

从韩媒报道来看，三星此次获取长江存储专利授权，将主要用于下一代（V10）闪存芯片开发上，这代芯片计划于今年下半年量产，堆叠层数将达到420层-430层。为了让V10芯片尽快量产，三星引入了多项新技术，晶圆和晶圆之间的混合键合“至关重要”。

三星之所以这么看重这项技术，是因为“混合键合”技术省去了传统芯片连接所需的凸块，缩短了电路，并提高了存储性能和散热特性，“特别是晶圆之间的混合键合，它键合的是整个晶圆而不是芯片，在提高生产效率方面也具有优势”。

与三星相比，长江存储是一个后起之秀，2016年成立于武汉，至今不到10年。彼时，存储芯片行业已经是成熟市场，三星、SK海力士、美光等巨头占据了大部分市场份额。对于后来者而言，要想长久发展，首要目标并不是快速抢市场，而是要确保技术专利的合规。

如果技术专利上出了问题，甚至被行业巨头找上麻烦，将影响企业的长期发展，甚至危及生存，福建晋华和美光的专利侵权纠纷就是一个典型例子，一度导致福建晋华的运营停摆。

也正是提前考虑了这一点，长江存储在成立之初获得国家大基金投资的同时，国家也对长江存储所从事的3D NAND技术研发生产，进行了全面专利预警工作。

2016年，由国家知识产权局专利分析和预警领导小组办公室组织，专利审查协作湖北中心骨干力量承担的专题《三维NAND型存储器关键技术专利分析和预警》启动，报告详细分析了三维NAND型存储器的关键技术、全球专利布局情况以及主要企业的竞争态势，建议国内企业建立风险预警机制，对海外存储寡头和国外研究机构的高风险专利保持警觉，报告全文共七章、332页、19万字。历史一幕！长江存储向三星授权关键技术专利