#今日干货# 简单结论...
- CarEngineer何先生
- 2024-10-10 08:11:31
今日干货
简单结论：这两年对于碳化硅SiC的追捧肯定是短暂现象，5年后碳化硅SiC跟IGBT的结合使用才是正解，碳化硅也会退烧的。
这两年，车企都在上800V，碳化硅SiC，追求更快的充电速度，更高的电驱效率。
但是使用碳化硅SiC很难在性能和成本之间平衡，而且SiC相对于Si IGBT也并不全是优点。
图1: 从【导通损耗】上来看，在电流较小时，SiC MOSFET具有更小的导通损耗，当电流较大（大功率）时，IGBT 的导通损耗则更小。
【开关损耗】这块，Si基在关断时会造成拖尾电流，使其开关损耗特性较差。而SiC MOSFET具有更快的开关速度，且没有拖尾电流, 所以其开关损耗对比IGBT具明显优势。
所以，英飞凌就提出了观点，碳化硅SiC MOSFET不是在所有条件下都对Si IGBT材料有优势，在使用碳化硅时，可以在性能和成本之间做一个平衡。
现在很多电动车都是四驱，一前一后两个电机提供动力，其中后驱电机为主电机，前驱电机为辅驱动。
而且很多车企都宣传自己是双碳化硅平台，比如智己LS6就说，他的前后双电驱都是碳化硅。
但是从成本的角度上来说，其实可以在不牺牲性能的情况下，成本上有更好的选择。
比如： 用SiC逆变器作为主驱续航，兼顾续航和性能，IGBT 逆变器作为辅驱，提供加速动力。
原因: SiC在中小功率时具有更低的损耗、更高的效率，而IGBT在大功率输出时相对更有优势。为了充分发挥SiC和IGBT 各自的优点，双电驱可以采用不同半导体器件进行搭配。
还有一种方法就是: 新型电驱----单逆变器中融合SiC+IGBT，SiC维持高效率续航运行，SiC+IGBT 提供峰值搞性能。
图2: 配置1 和2 在后轴或前轴上使用了全部的碳化硅。而配置3 和4 则使用了融合技术逆变器。
大概意思就是在同一个逆变器中，将碳化硅和硅基IGBT进行了融合，并不是纯100%碳化硅，这样反而能够在效率和成本之间可以实现良好的平衡。
具体的运行逻辑是： 在大部分的工况，加速和减速完全由SiC 和所需的电驱控制。当功率需求达到更高峰值水平时，使用额外的Si，Si在高负载时具有更高的效率。
类似的还有，800V和400V的平衡，很多人其实就要个400V就够了，这个下次讲。
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简单结论：这两年对于碳化硅SiC的追捧肯定是短暂现象，5年后碳化硅SiC跟IGBT的结合使用才是正解，碳化硅也会退烧的。
这两年，车企都在上800V，碳化硅SiC，追求更快的充电速度，更高的电驱效率。
但是使用碳化硅SiC很难在性能和成本之间平衡，而且SiC相对于Si IGBT也并不全是优点。
图1: 从【导通损耗】上来看，在电流较小时，SiC MOSFET具有更小的导通损耗，当电流较大（大功率）时，IGBT 的导通损耗则更小。
【开关损耗】这块，Si基在关断时会造成拖尾电流，使其开关损耗特性较差。而SiC MOSFET具有更快的开关速度，且没有拖尾电流, 所以其开关损耗对比IGBT具明显优势。
所以，英飞凌就提出了观点，碳化硅SiC MOSFET不是在所有条件下都对Si IGBT材料有优势，在使用碳化硅时，可以在性能和成本之间做一个平衡。
现在很多电动车都是四驱，一前一后两个电机提供动力，其中后驱电机为主电机，前驱电机为辅驱动。
而且很多车企都宣传自己是双碳化硅平台，比如智己LS6就说，他的前后双电驱都是碳化硅。
但是从成本的角度上来说，其实可以在不牺牲性能的情况下，成本上有更好的选择。
比如： 用SiC逆变器作为主驱续航，兼顾续航和性能，IGBT 逆变器作为辅驱，提供加速动力。
原因: SiC在中小功率时具有更低的损耗、更高的效率，而IGBT在大功率输出时相对更有优势。为了充分发挥SiC和IGBT 各自的优点，双电驱可以采用不同半导体器件进行搭配。
还有一种方法就是: 新型电驱----单逆变器中融合SiC+IGBT，SiC维持高效率续航运行，SiC+IGBT 提供峰值搞性能。
图2: 配置1 和2 在后轴或前轴上使用了全部的碳化硅。而配置3 和4 则使用了融合技术逆变器。
大概意思就是在同一个逆变器中，将碳化硅和硅基IGBT进行了融合，并不是纯100%碳化硅，这样反而能够在效率和成本之间可以实现良好的平衡。
具体的运行逻辑是： 在大部分的工况，加速和减速完全由SiC 和所需的电驱控制。当功率需求达到更高峰值水平时，使用额外的Si，Si在高负载时具有更高的效率。
类似的还有，800V和400V的平衡，很多人其实就要个400V就够了，这个下次讲。
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